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1980年左右，中科院半导体所开始研制JK-1型半自动接近式光刻机，于1981年研制成功两台样机。

而由于美国在50年代就已经拥有了接触式光刻机，相比之下，中国落后了将近20年，同时国外从1978年开始转向分步重复投影光刻，此时中国科学界也认识到，分布投影光刻技术的优越性，但限于国内工业技术差难以实现。

在1978年世界上第1台DSW光刻机问世不久，机电部第45所，就开始跟踪研究分步式光刻机，对标美国的4800DSW，1985年研制出了BG-101分部光刻机样机，并通过电子部技术鉴定，认为达到了美国同类产品水平，而当时采用的是436纳米G线光源。

这也就意味着1985年的时候，中国在高科技领域与国外的差距拉近到了7年左右，也就是达到了美国1978年的水平。

可以看出国产光刻机。研发在上世纪70年代后期起不直到80年代，后期技术一直在推进，并且取得了一定的代表性成果。

然而到了80年代中后期，中国却因为技术封锁以及买办思想盛行，造成了光刻机的落后。

当时的巴统协议不批准向中国出售先进的设备，国外工艺线已用0.5微米的设备时，却只对我国出口1.5微米的设备，整整差了三代，此外8组还规定对我国出口的光刻机镜头na必须小于0.17，既只能有二微米以上的分辨率。

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